正在半导体芯片等器件工艺中，后道制程中的金属衔尾是进程金属薄膜重积，图形化和蚀刻工艺，结果正在器件元件之间取得导电衔尾。

　　等区别行业，对各类金属层（包含导电薄膜、粘附层和其他导电层）都有各类各样的电阻和厚度的量测需求，KLA Instruments™ Filmetrics® 工作部可能供给前辈的薄膜电阻衡量办理计划。

　　和涡流法。两种衡量技巧各有其上风，实用于区别的运用场景。咱们先来理会一下这两种技巧的衡量道理。

　　引脚的摆列办法广泛是线性摆列或方形摆列，此处要紧研究 R50 探针应用的线性摆列。关于民众半运用而言，应用的是圭表衡量修设 （上图左）。而备用衡量修设（上图右）可行动 R50 双修设衡量伎俩的一局部，用于薄膜边际电流集聚或必要校正引脚间距转折的景况。此处显现的衡量结果仅应用了圭表衡量修设。

　　涡流技巧通过施加交变磁场，衡量导电层中感觉的涡流。线圈中的交变驱动电流会正在线圈方圆发生交变低级磁场。当探测线圈亲切导电轮廓时，导电资料中会感觉出交变电流 （涡流）。这些涡流会发生我方的交变次级磁场并和线圈耦合， 从而发生与样品的方块电阻成正比的信号转折。导电层越导电，涡流的感觉越强，驱动线圈的阻抗转折就越大。

　　R50供给了10个数目级电阻跨度限制应用的4PP四探针测试技巧，以及高分离率和高灵动度的EC涡流技巧，续写了KLA正在产物更始才具和行业前卫位置的史书。

　　上图显示了 2μm 圭表厚度铝膜的方块电阻漫衍图和薄膜厚度漫衍图。依照方块电阻数据（左），使用圭表电阻率（中），将数据转换为薄膜厚度漫衍图（右）。正在某些运用中，将数据显示为薄膜厚度漫衍图不妨更有助于观测样品的平均性。RsMapper 软件还供给差别漫衍图，纵使用两个特定晶圆的测绘数据绘制成单张漫衍图来显示两者之间的差别。此性能能够用来评估蚀刻或扔光工艺前后的方块电阻转折。

　　R50-4PP能衡量的最大方块电阻为 200MΩ/sq.，所以至极适合对比薄的金属薄膜。关于至极厚的金属薄膜，电压差值变得至极小，这会限定四探针技巧的衡量。它只可衡量厚度小于几个微米的金属膜，完全还要取决于金属的电阻率。

　　关于至极厚的金属薄膜，涡流信号会增添，以是对可衡量的金属薄膜的最大厚度现实上没有限定。

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